Mosfet (فلز اکسید نیمه رسانای اثر میدانی ترانزیستور) وIGBT (دروازه عایق ترانزیستور دو قطبی) دو نوع از ترانزیستورها هستند که دارای ساختار مشابه با صفحه های نیمه رسانای متفاوت می باشند.
Mosfet (مسفت) یکی از انواع ترانزیستورهای میدانی (FET) است که از سه پایانه ورودی، منبع و خروجی تشکیل شده است. در این نوع ترانزیستور جریان خروجی با ولتاژ ورودی کنترل می‌شود. بنابراین، مسفت ها دستگاههای کنترل کننده ولتاژ هستند.
IGBT(آی جی بی تی) یک وسیله نیمه رسانا با سه پایانه خروجی، جمع کننده و ورودی می باشد. ویژگی این نوع از ترانزیستورها کنترل قدرت بالای انرژی است.
IGBT در سال ۱۹۸۰ به بازار عرضه شد و جدیدتر از Mosfet به شمار می رود. با توجه به آب وهوای کشور ما دستگاه جوش با ویژگی های Mosfet کارایی بیشتری دارد اما ممکن است در کشورهای دیگر که آب وهوای متفاوتی نسبت به ایران دارند، IGBT دارای کاربرد بهتری باشد.
